Корейские ученые объявили о создании с помощью сплетения углеродных нанотрубок тонкопленочного транзистора на стеклянной подложке. Высокую плотность осаждения волокон нанотрубок обеспечивает низкая температура, что значительно упрощает работу ученых, так как формирование этих компонентов не требует контроля каждой нанотрубки.

Химическое нанесение углеродных нанотрубок производится из парогазовой фазы. Сначала подложка катализируется во избежание травления, а затем в необходимые места подложки осаждаются сами нанотрубки, как мы уже упоминали, при очень низких значениях температуры.

Проводящий слой нанотрубок обязан их высокой плотности на подложке, но в случае превышения критического порога протекания, они лишаются свойства проводимости. Собственно, поэтому нанотрубки проявляют полупроводниковые свойства. На следующем этапе корейские ученые обещают упорядочить структуру транзистора, повысив подвижность с помощью принципиально новой топологии нанесения нанотрубок.

Возможностью создания гибких и прозрачных компонентов электроники занимаются уже не первый год. Ведь осуществления этого плана приведет к возможности создания тысяч новых устройств, таких как электронное ветровое стекло, эластичные мультимедиа проигрыватели и электронная бумага (технология создания и удержания изображения на дисплее неэлектрическими методами) и др. На пути к осуществлению этой цели ученые сконструировали первый в мире транзистор, представляющий собой сетку из нанотрубок.

Нет комментариев. Вы можете быть первым!